Значения параметров (макс. (мин.)1

Выходное напряжение низкого уровня при Ucc-b В±5%, U,

и 1 = 0,9, В, UiH = Ucc-Qfi В, /оь = 0,8 В. В

Выходное напряжение высокого уровня при t/cc=5 В± ±5%, £/г1, = 0,8 В, U, = Ucc-Qfi В, /он = -0,4 мА, В

Выходной ок низкого уровня при t/cc=5 В±5%, ад, = 0,8 В, £/,н = Усс-0,8 В, UoL = QA В, мА: по выводам 15, 16

по выводу /

Выходной ток высокого уровня при Ucc -5 В±5%, он U,l = 0,S В, U, = Ucc-0,8 В, UoH=4,l В, мА

Ток утечки низкого уровня на входе при Ucc -5 В±5%, LIL и,ь = 0,8 В, мкА

Ток утечки высокого уровня иа входе при £/сс=5 В±5%, L/H и, = Ucc-0,8 мкА

Ток потребления при Ucc = 5 В±5%, Uih = Ucc-0,4 В, ic мА

Время задержки распространения сигнала CS по входу ics-SYNO

5КЛГС-вых0ду CS при Ucc=5 В±5%, U, = Ucc--0,8 В, UiL = 0,8 В, НС

Примечание. Значения параметров, указанные в числителе дроби, соответствуют окружающей среды +25 °С, в знаменателе - диапазону температур от -10 до +70 С.

0,4 /3,7

[3,7)

[2,4)

1-1 ,0\ -0,8) -5

-15 5 15 0 1.0 200 250

температуре

8.8. Микросхема К588ВТ1

Микросхема К588ВТ1 - селектор адреса, предназначен для применения в цифровой аппаратуре с жестко ограниченным энергопотреблением и массогабаритными характеристиками.

Микросхема используется в микропроцессорной системе с унифицированным интерфейсом и выполняет следующие функции:

выбор регистра виещиего устройства;

управление чтением регистра виещиего устройства;

управление записью в регистр виещиего устройства слова;

управление записью в регистр внешнего устройства старшего байта;

управление записью в регистр внешнего устройства младшего байта.

Условное графическое обозиачеиие микросхемы приведено иа рис. 8.25, назначение выводов - в табл. 8.29, структурная схема показана иа рис. 8.26, времеииая диаграмма работы - на рис. 8.27.

Рис. 8.25. Условное графическое обозиачеиие К588ВТ1

Л. Ж

5Ш BS7

W1BT Б11

DOUT

CSO 2

5 10 12 14 IB

RPLY П WRL WRH

32 31

21 М2

Вывод

Обозначение

Тнп вывода

Функциональное назначение выводов

1-13

15 16

iris

19 20 21

23 24 25-32

33-41 42

DAI 2-DAO

SYNC WTBT DIN

DOUT

RPLY DONE GND

CS16, CS14, CSJJ. CSIO, CS6, csTT

CS2. CSO A4-A12

Входы

Вход

Вход Вход Вход

Вход

Выход Вход

Выход Выход Выход Выходы

Входы

Разряды 12-0 адреса/данных

Управденне выборкой внешнего устройства

Синхронизация обмена

Управление запись/байт

Управление чтением данных

Управление записью данных

Ответ устройства Готовность устройства Общий

Чтение для внешнего устройства

Сигнал записи младшего байта

Сигнал записи старшего байта

Выборка внешнего устройства

Разряды 4-12 адреса Напряжение питания

дА0-т2 \13

Ait-AIZ 7S

Компаратор К

Блок j/правлвиил

Дешифратор ВС

cJ; he

Soil

R°LY CS

Рис. 8.27. Временная диаграмма работы К588ВТ1

Значения параметров [макс, (мин.)]

Ток утечки низкого уровня на входе при Ucc = 5 В± ±5%, U,l = 0,8 В, мкА

Ток утечки высокого уровня на входе при Ucc ==5 В± ±5%, и, =4,7 В, мкА

Выходной ток низкого уровня при Ucc -5 В±5%, U,l=0,4 В, UoL = 0,4 В, UiH = Ucc-0,4 В, мА

Выходной ток высокого уровня при Ucc=5 В±5%. U,l = 0,4 В, и,h = Ucc-0,4 В, UoH=4,\ В, мА

Ток потребления при Ucc - S В±5%, C h=5,1 В, мкА

Ток утечки низкого уровня на выходе в состоянии выключено при Ucc=5 В±5%, L/i. = 0,8 В, U, = = 4,6 В, UoL = 0,8 В, мА

Время задержки установки сигнала CS относительно

сигнала SKAС при Усе =5 В±5%, U,h=4,6 В, и,1. = 0,4 В, СьЮО пФ, не

Время задержки установления сигнала RD относительно

сигнала ЪШ при Ucc = 5 В±57о. гн=4,6 В, 6,1, = 0,4 В, Сь<Ш пФ, НС

Время задержки установления сигналов WRL, WRH относительно сигнала DOUT при 6сс=5 В±5%, Uih = = 4,6 В, U,l=0,4 В, Ci.< 100 пФ, не

lil

LOLZ

cs (CS-SYNC)

Р (rd-uin)

Р (VtRL, VfRHDOVT)

- 15 -30

0.8,

-0,4\ -0,4/

500 -0,5 -0,7

100 150

150 200

Примечание Значения параметров, указанные в числителе дроби, соответствую] окружающей среды Ч-25°С, в знаменателе - диапазону температур от -Ю до -1-70 °С,

температуре

Микросхема содержит. 13-разрядный регистр адреса RGA; 9-разрядный компаратор К; 8-разрядиый дешифратор DC, блок управления СО; блок формирователей F.

Работа селектора адреса поясняется временной диаграммой выполнения цикла ввод/модификация/вывод (рис. 8.27).

Электрические параметры микросхемы К588ВТ1 приведены в табл. 8.30.

8.9. Рекомендации по применению

Микропроцессорный комплект серии К588 благодаря модульности структуры, гибкости системы синхронизации, микропрограммируе-мости позволяет создавать на его основе эффективные средства обработки цифровой информации с произвольными системой команд и структурой от простейших автоматов до микро- и мини-ЭВМ.

Систему команд устройства обработки определяет информационное содержание управляющей памяти микропрограмм (К588ВУ2 ли-

бо ПЗУ, ППЗУ). Микросхемы К588ВУ2 с но мерами кодировок с 0001 по 0005 предназначены для построения процессора, представленного на рис. 8.15. Его система команд соответствует системе команд мнкро-ЭВМ Электроника-60 и включает команды расширенной арифметики MUL. DIV. ASH, ASHC. Время выполнения операций типа ADD RI, R2, не превышает 4 мкс, типа MUL RI, R2 - 50 мкс. Потребляемая мощность не более 150 мВт.

На рнс. 8.28 представлена схема процессе ра с аппаратной реализацией команды умно жения. Ь его состав входят следующие микро схемы: К588ВС2, К588ВУ2 (0001, 0002, 0004 0006, 0007), К588ВР2, К588ВГ1, К588ВА1 K588BTI. Время выполнения команды MUL RI, R2 не более 12 мкс.

Схема блока ОЗУ для микро-ЭВМ с унифицированным интерфейсом представлена на рис. 8.29. В его состав входят следующие микросхемы: К588ВГ2, К588ВА1, К588ИР1, К537РУ14. Время цикла ОЗУ не превышает 500 НС, потребляемая мощность 150 мВт.