Строительный блокнот  Корпуса микропроцессорных микросхем 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [ 55 ] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121

Таблица 3.63

Параметр

обозначение

ее Т С s са i s а

Время установления сиг-

<SU(OE-r)

нала Т относительно сиг-

нала ОЕ, НС

Время сохранения сигна-

(10)

ла Т относительно сиг-

нала ОЕ, НС

(lh Chl)

Длительность фронта

20/12

(спада) входных им-

пульсов, НС

Емкость нагрузки, пФ:

для Л-выходов

для В-выходов

Уровни отсчета 0,8 и 2,0 В.

Таблица 3.64

Параметр

Напряжение питания на выводе Ucc {Ucc\ для КР580ВМ80А и КР580ГФ24), В Напряжение питания КР580ГФ24, КР580ВМ80А на выводе UcC2, В

Напряжение питания КР580ВМ80А на выводе Ucc3, В Входное напряжение, В

Выходной ток высокого уровня, мА Выходной ток низкого уровня, мА Емкость нагрузки, пФ

Ucc.

Ucc.

Значения параметров

-0,5

-0,5

-7,0

-0,5

13,5 О

7,0 1.5-/0н

Примечания. 1. Предельно допустимые значения токов /он, /01, приведены в таблицах параметров на каждую микросхему.

2. Время воздействия приведенных значений не более 5 мс.

3.15. Рекомендации по применению

Типовая схема микропроцессорной системы на базе микросхем серии КР580 приведена на рис. 3.82. Число и состав микросхем в системе определяются требованиями, предъявляемыми потребителем.

Необходимыми микросхемами в любой системе являются: микропроцессор

КР580ВМ80А, генератор КР580ГФ24, системный контроллер КР580ВК28 (КР580ВК38), буферная схема адреса, построенная на двух микросхемах КР580ВА86 (КР580ВА87) для обеспечения нагрузочной способности по шине адреса. Объем памяти ЗУ и использование одной или нескольких периферийных микросхем КР580ВВ51А, КР580ВИ53, КР580ВВ55А, КР580ВТ57, КР580ВН59, КР580ВВ79 нли КР580ВГ75 определяет пользователь.

Микропроцессорная система имеет системную шину, образуемую из трех шин: адреса А15-АО, данных D7-DO и управления. Системная шина позволяет строить микропроцессорную систему по модульному принципу: модуль центрального процессора, модуль ЗУ, модуль УВВ и т. д. Каждый модуль может содержать собственные буферные схемы адреса и данных.

Двунаправленные выводы данных периферийных микросхем рекомендуется подключать к системной шине через шинные формирователи (КР580ВА86, КР580ВА87 или КР589АП16, К589АП26).

Магистральная структура микропроцессорной системы позволяет подключать микросхемы ЗУ общей емкостью до 64К байт и микросхемы УВВ до 256 каналов ввода и до 256 каналов вывода.

Для помехоустойчивости системы низкочастотные помехи по цепи питания необходимо блокировать конденсатором суммарной емкостью из расчета 0,1 мкФ на каждую микросхему, включенным между шинами --5 В и GND непосредственно в начале шины --5 В,

Высокочастотные помехи необходимо блокировать конденсатором емкостью 0,015- 0,022 мкФ, включенным между каждым выво дом 4-5 В микросхемы и шиной GND в непосредственной близости от микросхем (не далее 5 мм).

Для увеличения быстродействия системы трехстабильные линии шины адреса и данных рекомендуется подключать к шинам --5 В через резисторы сопротивлением 2,2 кОм.

Предельные электрические режимы эксплуатации микросхем серии КР580 приведены в табл. 3.64.



X T3

о a o о

§ о о тэ а: о

ТЗ S 3

а

Сброс

-Уст. О

.С1,сг

с пульта управления

Сиона управления

ATS-AO

XS,WR

V7-D0 1

HLSA

Управление

-управление

RDIO

Свлек-> n;op и

Управление

AB-AO

RPia

Свяок-

P , tea

mop iffpi

Канал аЗдеоа

Rn I0,WR,K1I,INTA,

игла

Канал данных J}7-]}0

WRIO

RD,VR

Канал управления

vr-no

WR/(

Уот.О-

1

AO .

RVia

WRIO

Уст.О

RS/O,

WR/0.

Auon-яеи

Канал адряса A15-A0

Канал данных Л7-110

Канал управления


Клавиатура

Даоп-яаа

А1 .

U7-S0.



Глава 4

Микропроцессорный комплект серии КР581

Микропроцессорный комплект (МПК) серии КР581 предиазиачеи для построения микро-ЭВМ типа Электроиика-60 , программно совместимой с мини-ЭВМ семейства СМ ЭВМ.

Область применения: управление производством и технологическими процессами, сбор и обработка данных, решение научно-технических и экономико-статистических задач, проведение инженерно-конструкторских расчетов, моделирование и управление объектами в реальном масштабе времени.

Микропроцессорный комплект п-качялъ-ных МДП микросхем представляет собой 16-разрядный микропроцессор с микропрограммным управлением и включает в себя микросхемы шести типов (табл. 4.1):

Таблица 4.1

Тип микросхемы

Функциональное назначение

Тнп корпуса

КР581ИК1*

Обработка информации

413.48-5

КР581ИК2*

Управление выполнением операций

413.48-5

КР581РУ1*

Микропрограммное запоминающее устройство для реализации стандартного набора системы команд

413.48-5

КР581РУ2*

Хранение микрокоманд управления выполнением операций

413.48-5

КР581РУЗ

Микропрограммное запоминающее устройство для реализации операций с плавающей запятой

413.48-5

КР581ВЕ1

Микропроцессор с

микропрограммным

управлением

413.48-5

Микросхемы серии КР581 представляют собой функционально законченные узлы и блоки микропроцессора.

Общие характеристики МПК

Разрядность обрабатываемых данных...... 8,16 бит

Управление......Микропрограммный способ

Число типов команд, включая команды с плавающей

запятой........ 72

Объем адресуемой памяти 64К байт Число способов адресации . 8

Число уровней прерывания 4

Шина адреса и данных Совмещенная

Быстродействие..... 250 тыс. операций/с

Система команд .... Типа Электро-

ннка-60

Для всех типов ИС МПК серии К581 статические параметры приведены в табл. 4.2, динамические - в табл. 4.3.

Таблица 4.2

Примечание. Микросхемы, отмеченные звездочкой, составляют базовый МПК серии КР581. Мнкросхема КР581ВЕ1 по функциям аналогична базовому МПК серии КР581.

Параметр

Значения параметров

мии.

макс.

Напряжение питания, В

4,75

5,25

11,4

12,6

-5,25

-4,75

Ток утечки входов, мкА

1,2*

Ток утечкн тактовых входов, мкА

Входное напряжение высокого уровня по тактовым входам, В

и,нс

11,4

12,6

Входное напряжение низкого уровня по тактовым входам, В

UlLC

-0,5

+0,5

Емкость тактовых входов, пФ

Прн г = + 25°с.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 [ 55 ] 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121