Выходной ток в состоянии (выключено

/ог (/вых. выкл) - выходной ток микросхемы с тремя состояниями на выходе при выключенном состоянии выхода.

Выходной ток низкого уровня в состоянии

выключено /ozL(/°Bbix вь.....) - выходной

ток в состоянии выключено микросхемы прн подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня.

Выходной ток высокого уровня в состоянии выключено /огн (/вых. выкл) - выходной ток в состоянии выключено микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня.

Ток утечки на выходе интегральной микросхемы /ьо(/>т-вых) - значение тока в выходной цепи микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах.

Ток утечки низкого уровня иа выходе интегральной микросхемы /l,OL(/°yT вы\) - 10К

утечки интегральной микросхемы в выходной цепи при закрытом состоянии выхода, прн выходном напряжении в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы /loh (/ут. вых) -

ток утечки интегральной микросхемы в выходной цепи при закрытом состоянии выхода, прн выходном напряжении в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

Ток короткого замыкания интегральной микросхемы /o,s(/k-..) - значение выходного тока при закороченном выходе.

Параметры, имеющие размерность мощности:

Потребляемая мощность интегральной микросхемы Per (Рппт) - значение мощности, потребляемой микросхемой от источников питания в заданном режиме.

Динамическая потребляемая мощность интегральной микросхемы Рссо(Рпот а н) -

значение потребляемой мощности микросхемы в заданном динамическом режиме.

Максимальная потребляемая мощность интегральной микросхемы {РсСтах{Рпт mai) -

значение мощности, по1ребляемой микросхе мой, при максимальном напряжении питания Рассеиваемая мощность интегральной мик росхемы Р(о((/рас) - значение мощности рассеиваемой микросхемой, работающей в за данном режиме. Параметры, имеющие размерность времени

Время задержки импульса интегральной микросхемы td{tin) - интервал времени меж ду фронтами входного и выходного импуль сов микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения или тока.

Среднее время задержки распространения сигнала логической интегральной микросхемы (д-11ср) - интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении логической интегральной микросхемы.

Время перехода при включении интегральной микросхемы /гяь (/ ) - интервал времени, в течение которого напряжение на выходе микросхемы переходит от высокого уровня к низкому, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения.

Время перехода при выключении интегральной микросхемы /tlh() - интервал времени, в течение которого напряжение на выходе микросхемы переходит от низкого уровня к высокому, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения.

Время выбора интегральной микросхемы

<ск(<в.м) - интервал времени между подачей на вход сигнала выбора микросхемы и получением на выходе сигналов информации.

Время сохранения сигнала интегральной микросхемы tv(tcx) - интервал времени между окончанием двух заданных входных сигналов микросхемы на разных входах.

Время хранения информации интегральной микросхемы /,sg(xp) - интервал времени, в течение которого микросхема в заданном режиме эксплуатации сохраняет информацию.

Время установления сигнала интегральной микросхемы tsv(tyc) - интервал времени между началами двух заданных входных сигналов микросхемы на разных входах.

Время цикла интегральной микросхемы tcr{tn) - длительность периода сигнала на одном из управляющих входов, в течение которого микросхема выполняет одну из функций.

Время восстановления интегральной микросхемы tREc{tBoc) - интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала следующего цикла.

Длительность сигнала интегральной микросхемы <и-(т).

Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы twLix ) - интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы <ин(т) - интервал времени от момента перехода сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы Tc{T) - интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения.

Параметры, имеющие размерность частоты: Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы /с (/т).

Частота генерирования интегральной микросхемы (/г).

Параметры, имеющие размерность сопротивления:

Входное сопротивление интегральной микросхемы Ri(Rsx) - величина, равная отношению приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданном значении частоты сигнала.

Выходное сопротивление интегральной микросхемы Ло(Лвых) - величина, равная отношению приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданном значении частоты сигнала.

Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы Rl{Rb) - суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы. Параметры, имеющие размерность емкости:

Входная емкость интегральной микросхемы Ci(Cbx) - величина, равная отношению емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное напряжение микросхемы при заданном значении частоты сигнала.

Выходная емкость интегральной микросхемы Со(Свых) - величина, равная отношению емкостной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на вызванное им выходное напряжение при заданном значении частоты сигнала.

Емкость входа/выхода интегральной микросхемы C,/o(Cbj/bmx) - значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного/выходного тока микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное/выходиое напряжение при заданном значении частоты сигнала.

Емкость нагрузки интегральной микросхемы Cj,(C ) - суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

Прочие параметры:

Разрядность слова адреса пл(Па) - число разрядов в адресном слове.

Разрядность слова данных по(Пц) - число разрядов в слове данных.

Разрядность слова команды (микрокоманды) njv.s, п лг.ч(п , пмк) - число разрядов в слове команды (микрокоманды).

Число команд (микрокоманд) Qys, Qmss (Q, Qmk) - общее число команд (микрокоманд), реализуемых микросхемой.

Коэффициент функциональной мощности команды (микрокоманды) для выполнения операции формата регистр - регистр Krr {Kyv) минимальное число команд (микрокоманд), необходимых для реализации операции формата регистр - регистр для слов дан-

Коэффициент функциональной мощности команды (микрокоманды) для выполнения операции формата регистр - память Krm

(Крп) - минимальное число микрокоманд (команд), необходимых для реализации операции формата регистр - память для слов данных при непосредственной адресации памяти.

Коэффициент функциональной мощности команды (микрокоманды) для выполнения операции умножения двух слов Кмрг{Куми) - минимальное число микрокоманд (команд), необходимых для реализации операции умножения двух слов данных микросхемы.

Коэффициент объединения по выходу Ксо{Коб,вых) - максимально допустимое число объединяемых выходов, по которым реализуется логическая функция.

Нагрузочная способность N {N) - параметр микросхемы, который в зависимости от схемотехнических особенностей может характеризоваться либо значениями выходных токов, либо коэффициентом разветвления по выходу, либо значением емкости нагрузки.

Понятия и их обозначения, характерные для микропроцессорных микросхем

Данные D (Д) - информация, представленная в формализованном виде и предназначенная для обработки ее техническими средствами или уже обработанная ими.

Канал В (КН) - совокупность средств для передачи сигналов между источником и приемником.

Операция ОР (ОП) - нахождение некоторой величины в результате выполнения действия, указанного командой программы, над одной или несколькими величинами.

Микрооперация МО (МОП) - элементарная операция, выполняемая за один такт работы микросхемы.

Команда NS (К) - код, определяющий действия микросхемы при выполнении отдельных операций.

Микрокоманда MNS (МК) - код одной или нескольких микроопераций, выполняемых за один такт работы микросхемы.

Регистр команд PGNS (РК) - регистр, в котором хранится текущая команда программы.

Регистр микрокоманды RGMNS (РМК) - регистр, в котором хранится текущая микрокоманда микропрограммы.

Адрес А (А) - код, который указывает устройство или элемент данных, используемые при выполнении операции.

Прямой доступ к памяти DMA (ПД) - режим работы, разрешающий внешним устройствам вводить в память данные или извлекать нх, минуя процессор и не прерывая выполнение программы.

Операции:

Сложение ADD (СЛ). Вычитание DEC (ВЧ). Умножение MPY (УМН)

Деление DIV (ДЛ).

Логическая операция LC (Л) - операция, при выполнении которой каждый разряд результата формируется как итог логических действий над одноименными разрядами операндов.

Сдвиг SH (СД) - процесс смещения машинного слова или его части на заданное число разрядов.

Сдвиг влево SL (СДЛ).

Сдвиг вправо SR (СДП).

Арифметический сдвиг AS (АСД) - сдвиг, при котором смещаются все разряды машинного слова (за исключением знаковых).

Логический сдвиг LS (ЛСД) - сдвиг, при котором смещаются все разряды машинного слова, включая знаковые.

Циклический сдвиг RS (ЦСД) - логический сдвиг, в процессе которого информация, выводимая с одного конца сдвигающего устройства, вводится в освобождающиеся разряды на другом его конце.

Инкремент 1 ШС1 ( + 1) - операция сложения 1 с операндом.

Инкремент 2 INC2 (+2) - операция сложения 2 с операндом.

Декремент I DEC1 (-1) - операция вычитания 1 из операнда.

Декремент 2 DEC2 (-2) - операция вычитания 2 из операнда.

Инкремент 1/Декремент 1 INC1/DEC1 ( + 1/ -1) - операция сложения 1 с операндом или вычитания 1 из операнда.

Сигналы:

Синхронизация 5 (С) - сигнал, инициирующий одновременное выполнение операций различными функциональными частями интегральной микросхемы.

Стробнрующнй сигнал STB (СТР) - сигнал, инициирующий или фиксирующий определенный чтап выполнения операции.

Запрос RQ (3) сигнал, запрашивающий о возможности выполнения операции.

Разрешение Е (Р) - сигнал, разрешающий выполнение .операции.

Установка CLR (УСТ) - сигнал установки элементов и функциональных частей интегральной микросхемы в определенное состояние.

Останов HLT (ОСТ) - сигнал, останавливающий выполнение операции.

Повтор RP (ПВТ) - сигнал, инициирующий или фикснрую1ций повторение операции.

Готовность RDY (ГТ) - сигнал, свидетельствующий о готовности интегральной микросхемы к выполнению операции.

Ожидание WAIT (ЖД) - сигнал, свидетельствующий об ожидании поступления на интегральную микросхему определенных сигналов.

Пуск STR (ИСК) - сигнал, инициирующий начало выполнения операции.

Продолжение CST (1ТРД) - сигнал, инициирующий продолжение операции.

Чтение R (ЧТ) сигнал, свидетельствующий о чтении нпформацни нлн устанавливаю-

щий интегральную микросхему в режим чтения информации.

Запись W (ЗП) - сигнал, свидетельствующий о записи информации или устанавливающий интегральную микросхему в режим записи информации.

Выбор микросхемы CS (ВМ) - сигнал, инициирующий выбор данной интегральной микросхемы для участия в выполнении операции.

Прием IP (ПМ) - сигнал, инициирующий прием информации или свидетельствующий о приеме информации.

Выдача ОР (ВД) - сигнал, инициирующий выдачу информации или свидетельствующий о выдаче информации.

Квитирование Выдано ОРА (KB) - сигнал, сопровождающий выданную информацию.

Квитирование Принято IPA (К11) - сигнал, свидетельствующий об окончании приема информации.

Тактовый импульс CLC (ТИ) - периодический импульсный сигнал, инициирующий интегральную микросхему к выполнению очередной операции.

Начало выполнения команды (микрокоманды) BGNS, BGMNS (НК, НМК) - сигнал, инициирующий исполнение команды (микрокоманды).

Перенос С (ПС) - сигнал, возникающий, когда результат сложения в одной цифровой позиции двух или более чисел равен основанию позиционной системы счисления или превышает его.

Конец команды (микрокоманды) ENDNS, ENDMNS (КК, КМК) - сигнал, свидетельствующий об окончании исполнения команды (микрокоманды).

Переполнение OUf (ПП) - сигнал, свидетельствующий о получении результата, выходящего за пределы диапазона представления чисел.

Расширение ЕХР (РШ) - сигнал, свидетельствующий о получении результата с выпадающим разрядом из разрядной сетки.

Знак НВ (ЗН) - сигнал, свидетельствующий о знаке результата.

Равенство нулю ZR (РН) - сигнал, свидетельствующий о равенстве результата нулю.

Состояние 57 (СС) - сигнал, свидетельствующий о состоянии результата после выполнения операции.

Маскирование М (МС) - сигнал, предназначенный для выделения определенных разрядов в машинном слове.

Прерывание INT (ПР) - сигнал, по которому осуществляется временное прекращение выполнения вычислительным устройством последовательности команд одной программы с целью выполнения последовательности команд другой программы.

Ответ ASW (ОТВ) - сигнал ответа устройства, находящегося в режиме подчинения, о том, что информация готова к передаче и.и примята.