Продолжение табл. 1.1

Окончание табл. 1.1

Схемы цифровых устройств

Регистры

Сумматоры

Полусумматоры

Счетчики

Шифраторы

Дешифраторы

Комбинированные

Арифметико-логические

устройства

Прочие

иа ип

Условное обозначение микросхем, выпускаемых для широкого применения. содержит дополнительный индекс К , который ставится впереди всех элементов обозначения микросхем. Буквы К . КМ и КР в начале условного обозначения микросхем характеризуют условия их приемки на заводе-изготовн-теле.

в состав микропроцессорного комплекта интегральных микросхем могут входить как сами микропроцессорные микросхемы определенной серии, так и микросхемы других серий, придающие комплекту новые качества и расширяющие его возможности.

1.3. Условия эксплуатации

Микропроцессорные микросхемы сохраняют свои параметры в пределах норм, установленных техническими условиями на микросхемы конкретных типов, в процессе воздействия и после воздействия на них различных эксплуатационных факторов. В табл. 1.2 приводятся условия эксплуатации микросхем, сведения о которых содержатся в настоящем справочнике.

Общими техническими условиями устанавливается минимальная наработка микропро-

цессорных микросхем не менее 10 000 или 15 000 ч, а в облегченных режимах - 25 000 ч. Минимальная наработка конкретных микросхем в соответствующих условиях и режимах эксплуатации гарантируется в технических условиях на поставку этих типов микросхем.

в упаковке предприятия-изготовителя или в составе аппаратуры, а также в комплекте ЗИП микропроцессорные микросхемы могут храниться не менее 6 лет. Условия и срок хранения устанавливаются в технических условиях на поставку конкретных типов микросхем.

1.4. Система параметров

Ниже приводится перечень электрических и других параметров микропроцессорных микросхем, их буквенное международное (отечественное) обозначение и определение, установленные ГОСТ 19480-74 и другими нормативными документами.

Параметры, имеющие размерность напряжения:

Максимальное входное напряжение Ui

(tB-vmai) - наибольшее значение входно.-о напряжения, при котором изменения параметров интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям.

Минимальное входное напряжение Vimm (fax mm) - наименьшее значение входного напряжения, при котором изменения параметров интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям.

Помехоустойчивость при низком уровне

.Mj.(t/° oM) - абсолютное значение разности между максимальным входным напряжением низкого уровня и максимальным выходным напряжением низкого уровня интегральной микросхемы.

Помехоустойчивость при высоком уровне ,Мн(6 пом) - абсолютное значение разности между минимальным входным напряжением высокого уровня и минимальным выходным напряжением высокого уровня интегральной микросхемы.

Напряжение i-ro источника питания интегральной микросхемы Vcc i{Vn ,) - значение напряжения I-ro источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы в заданном режиме; ( - порядковый номер источника, 1- 1+-4.

Пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы (t/ ,i.) - наименьшее значение напряжения высокого уровня иа входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

Пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы (t/nop) - наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы, прн котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

Напряжение инжектора при заданном токе инжектора [/г. (инж).

Входное напряжение интегральной микросхемы UtiUun) - значение напряжения на входе интегральной микросхемы в заданном режиме.

Входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы U!н(Uъ\) -значение напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы

Входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы UiLiWax) - значение напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы.

Минимальное входное напряжение низкого

уровня интегральной микросхемы Un-mm

(Waxmin) - наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы.

Максимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы ( Lmux (t/mma.x) - наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы.

Минимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Uiumir, {Свхпи ) - наибольшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы.

Максимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы U, ,i таж

(fexmat) - наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы.

Выходное напряжение интегральной микросхемы foltBbix) - значение напряжения на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме.

Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы и(пЛи кы\)

Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Uon{Unu\).

Максимальное выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы ) - наибольшее положительное или наименьшее офицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы.

Минимальное выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Uonmm [U\uxm, ) - наименьшее положительное или отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходны.\ напряжений высокого уровня интегральной микросхемы.

Параметры, имеющие размерность тока:

Ток инжектора для схем ИЛ /с (/инж) - значение тока в цепи вывода питания, необходимое для работы микросхемы в заданном режиме.

Ток потребления /гс(/ ит) - значение тока, потребляемого микросхемой от источников питания в заданном режиме.

Динамический ток потребления интегральной микросхемы /ссо(/ т. дин) - ток потребления микросхемы в режиме переключения.

Ток потребления при низком уровне выходного напряжения /< с l (/ пот).

Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения /t t н (/и,>т).

Ток потребления в состоянии выключено (для схем с тремя устойчивыми состояниями на выходе) /t с z (/пот-выкл) - ток потребления микросхемы при закрытом состоянии выхода.

Входной ток l,{hx) - значение тока, протекающего во входной цепи интегральной микросхемы в заданном режиме.

Входной ток низкого уровня интегральной микросхемы /ilWhx) - значение входного тока при напряжении низкого уровня на входе микросхемы.

Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы /ih(/ i) - значение тока при напряжении высокого уровня на входе микросхемы.

Ток утечкн /i(/sT) -- значение тока в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах.

Ток утечки на входе интегральной микросхемы Ili (/>т- ах) - значение тока во входной цепи микросхемы при закрытом состоянии входа н заданных режимах на остальных выводах.

Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы /LiLl/iT вх) - ток утечки интегральной микросхемы во входной цепи при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

Ток утечки высокого уровня иа входе интегральной микросхемы /lj (/)t-Bs) - ток утечки интегральной микросхемы во входной цепи при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

Выходной ток интегральной микросхемы /о(/вы1) - значение тока, протекающего в цепи нагрузки микросхемы в заданном режиме.

Выходной ток низкого уровня интегральной микросхемы /oLi/Bbix) значение выходного тока при напряжении низкого уровня на выходе микросхемы.

Выходной ток высокого уровня интегральной микросхемы /,)н(/вых) - значение выходного тока при напряжении высокого уровня на выходе микросхемы.